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| IDW：東北大學和索尼共同發表液晶配向技術 | 2007-12-10來源：中華液晶網
【提要】由日本的東北大學和索尼組成的研究小組開發出了有助於提高VA液晶面板的對比度及響應速度的液晶配向新技術在IDW上發表。
由日本的東北大學和索尼組成的研究小組開發出了有助於提高VA液晶面板的對比度及響應速度的液晶配向新技術，並在12月5日∼7日舉行的“IDW（International Display Workshops）”上進行了發表。使用該技術，就不必形成導致對比度下降的突起物以及像素電極縫隙，可使在垂直方向上配向的液晶分子在施加電壓時倒向特定方向。
VA液晶在不向液晶單元實施電壓時，液晶分子通常處於垂直豎立狀態，在施加電壓後液晶分子會橫向倒下。這時，為了使液晶分子倒向特定的方向，一般需要在底板上形成突起物，或在像素電極中加入縫隙。不過，突起物及縫隙周圍的液晶配向會發生紊亂，使背照光發生洩漏，從而導致對比度下降。而使用此次的配向技術，就不再需要形成突起物及像素電極縫隙，能夠大幅減少液晶配向紊亂導致的漏光現象。
另外，此次的配向技術還可有效提高VA液晶面板的響應速度。普通VA液晶在施加電壓時突起物及縫隙邊的液晶分子會倒向某一方向，這時垂直配向的液晶分子就會像多米諾骨牌一樣順勢橫向倒下。因此，等到所有液晶分子全部倒下，需要較長的時間。而使用此次的配向技術後，幾乎所有的液晶分子能以一次性傾斜（89度傾角）方式從垂直狀態倒向特定的方向，在施加電壓時液晶分子會同時橫向倒下。
此次的液晶配向技術的概要如下。首先在形成ITO電極的玻璃底板上塗佈液晶單體。然後通過控制熱狀態使液晶單體垂直配向。最後在磁場中照射紫外線。結果導致液晶單體膜高分子化，而且液晶分子會從垂直狀態向特定方向略微傾斜。這樣便確定了注入液晶單元內的液晶分子（負性）的配向方向及傾角。 （日經BP社） |
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