2007-12-10   来源：中华液晶网

     【提要】由日本的东北大学和索尼组成的研究小组开发出了有助于提高VA液晶面板的对比度及响应速度的液晶配向新技术在IDW上发表。

      由日本的东北大学和索尼组成的研究小组开发出了有助于提高VA液晶面板的对比度及响应速度的液晶配向新技术，并在12月5日～7日举行的“IDW（International Display Workshops）”上进行了发表。使用该技术，就不必形成导致对比度下降的突起物以及像素电极缝隙，可使在垂直方向上配向的液晶分子在施加电压时倒向特定方向。

     VA液晶在不向液晶单元实施电压时，液晶分子通常处于垂直竖立状态，在施加电压后液晶分子会横向倒下。这时，为了使液晶分子倒向特定的方向，一般需要在底板上形成突起物，或在像素电极中加入缝隙。不过，突起物及缝隙周围的液晶配向会发生紊乱，使背照光发生泄漏，从而导致对比度下降。而使用此次的配向技术，就不再需要形成突起物及像素电极缝隙，能够大幅减少液晶配向紊乱导致的漏光现象。

      另外，此次的配向技术还可有效提高VA液晶面板的响应速度。普通VA液晶在施加电压时突起物及缝隙边的液晶分子会倒向某一方向，这时垂直配向的液晶分子就会像多米诺骨牌一样顺势横向倒下。因此，等到所有液晶分子全部倒下，需要较长的时间。而使用此次的配向技术后，几乎所有的液晶分子能以一次性倾斜（89度倾角）方式从垂直状态倒向特定的方向，在施加电压时液晶分子会同时横向倒下。

      此次的液晶配向技术的概要如下。首先在形成ITO电极的玻璃底板上涂布液晶单体。然后通过控制热状态使液晶单体垂直配向。最后在磁场中照射紫外线。结果导致液晶单体膜高分子化，而且液晶分子会从垂直状态向特定方向略微倾斜。这样便确定了注入液晶单元内的液晶分子（负性）的配向方向及倾角。（日经BP社）